Hittite
Fundada en 1985, Hittite Microwave Corporation diseña y desarrolla circuitos integrados de alto rendimiento, módulos, subsistemas e instrumentos para aplicaciones digitales, RF, microondas y ondas milimétricas cubriendo un rango de frecuencia desde CC a 110 GHz.
Hemos desarrollado un profundo conocimiento de la tecnología analógica, de semiconductores digitales y señales mixtas, desde el nivel de dispositivo para el diseño y montaje de subsistemas completos. Nuestros circuitos digitales integrados, circuitos de RF integrados (RFIC) y circuitos monolíticos integrados de microondas (MMIC) se desarrollan utilizando el estado de la técnica de arseniuro de galio (GaAs) y los procesos de semiconductores basados en silicio. Estos procesos de semiconductores utilizando el estado de la técnica de GaAs, GaN, InGaP / GaAs, InP, SOI, SiGe, BiCMOS y CMOS utilizan MESFET, HEMT, pHEMT, mHEMT, HBT y dispositivos PIN. Somos una empresa de diseño pero no de fabricación. Nosotros desarrollamos nuestras propias patentes que se utilizan en nuestros productos IC que fabrican otras compañías que trabajan sobre obleas.
En base a su tecnología de RF, Hittitie ha desarrollado Generadores de RF de 8/20/40/70GHz con capacidades de baterías y saltos de frecuencia y potencia.
GENERADORES DE RF
MODELOS Y CARACTERISTICAS
PANEL FRONTAL
PANEL TRASERO
MONTAJE EN RACK
SOFTWARE DE CONTROL PARA PC
PROCEDIMIENTO DE AUTOCALIBRACION
